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IXTA24N65X2

更新时间： 2024-01-12 11:30:10

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IXYS		/
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6页	288K
描述
Power Field-Effect Transistor

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IXTA24N65X2 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.37	Base Number Matches：	1

IXTA24N65X2 数据手册

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X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 24A

R_DS(on) 145m

IXTA24N65X2

IXTP24N65X2

IXTH24N65X2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

G

S

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

650

650

V

V

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

V

V

G

D

S

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

24

48

A

A

TO-247 (IXTH)

I_A

T_C= 25C

T_C= 25C

12

A

E_AS

600

mJ

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

15

V/ns

W

G

D

D (Tab)

S

390

T_J

-55 ... +150

150

C

C

C

G = Gate

S = Source

D

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated







Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

g

g

g

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650

V

V



3.0

5.0

Applications

100 nA

A



I_DSS

5

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

100 μA





R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

145 m





Robotics and Servo Controls

DS100689C(5/18)

© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5 6

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与IXTA24N65X2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTA24P085T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 85V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTA24P085T	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTA260N055T2	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IXTA260N055T2	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTA260N055T2-7	IXYS	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
IXTA260N055T2-7	LITTELFUSE	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能	获取价格

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