Datasheet > IXTA220N04T2-7

IXTA220N04T2-7

更新时间： 2024-11-22 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	198K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA220N04T2-7 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IXTA220N04T2-7 数据手册

TrenchT2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 220A

R_DS(on)≤ 3.5mΩ

IXTA220N04T2-7

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (7-lead)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

(TAB)

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

220

160

660

Pins: 1 - Gate

2, 3 - Source

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

5,6,7 - Source

TAB (8) - Drain

I_AR

T_C= 25°C

110

600

E_AS

P_D

T_C= 25°C

360

Features

T_J

-55 ... +175

175

°C

^zInternational standard package

^z175°C Operating Temperature

^zHigh current handling capability

^zAvalanche Rated

T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Low R_DS(on)

Weight

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

• Synchronous Buck Converters

• High Current Switching Power

Supplies

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

2.0

4.0

• Battery Powered Electric Motors

±200 nA

μA

• Resonant-mode power supplies

• Electronics Ballast Application

• Class D Audio Amplifiers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

50 μA

3.5 mΩ

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1, 2

2.8

DS99962A(11/08)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTA220N04T2-7相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA220N04T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA220N055T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA220N075T7	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7
IXTA230N04T4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA230N075T2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA230N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA230N075T2-7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 75V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA230N075T2-7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA240N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA24N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,