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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G6 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 220 A | 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 600 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXTA220N075T7 | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7 |
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| IXTA230N04T4 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA230N075T2 | IXYS | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA230N075T2 | LITTELFUSE | 这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTA230N075T2-7 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 75V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTA230N075T2-7 | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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