是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G6 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (ID): | 220 A | 最大漏源导通电阻: | 0.004 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-G6 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 600 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTA200N055T2 | IXYS |
类似代替 |
DC to DC Synchronous Converter Design | |
IXTP220N055T | IXYS |
功能相似 |
Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTP200N055T2 | IXYS |
功能相似 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA220N075T7 | IXYS |
获取价格 |
MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7 | |
IXTA230N04T4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA230N075T2 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA230N075T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA230N075T2-7 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 75V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTA230N075T2-7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA240N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTA24N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA24N65X2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor | |
IXTA24P085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 85V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |