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IXTA220N055T

更新时间： 2024-10-28 12:27:43
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IXYS /
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5页 220K
描述
Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET

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IXTA220N055T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-G6针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：220 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSFM-G6JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：600 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTA220N055T 数据手册

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IXTA220N055T  
IXTP220N055T  
Fig. 8. Transconductance  
Fig. 7. Input Admittance  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
270  
240  
210  
180  
150  
120  
90  
T
J
= - 40ºC  
25ºC  
150ºC  
60  
T
J
= 150ºC  
40  
60  
25ºC  
-40ºC  
20  
30  
0
0
0
30  
60  
90  
120  
150  
180  
210  
240  
270  
160  
10  
3.5  
0.4  
0
4
4.5  
5
5.5  
6
6.5  
1.3  
40  
VGS - Volts  
ID - Amperes  
Fig. 9. Forward Voltage Drop of  
Intrinsic Diode  
Fig. 10. Gate Charge  
300  
270  
240  
210  
180  
150  
120  
90  
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
= 27.5V  
DS  
I
I
= 25A  
D
G
= 10mA  
T
= 150ºC  
J
T
= 25ºC  
J
60  
30  
0
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1
1.1  
1.2  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
QG - NanoCoulombs  
VSD - Volts  
Fig. 12. Maximum Transient Thermal  
Impedance  
Fig. 11. Capacitance  
10,000  
1,000  
100  
1.00  
0.10  
0.01  
C
iss  
C
oss  
C
rss  
f = 1 MHz  
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
VDS - Volts  
Pulse Width - Seconds  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
12345

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IXTA220N055T 替代型号

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