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IXTA220N055T

更新时间： 2024-01-20 18:23:22
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IXYS /
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5页 220K
描述
Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET

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IXTA220N055T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-G6针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：220 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSFM-G6JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：600 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTA220N055T 数据手册

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IXTA 220N055T  
IXTP 220N055T  
Fig. 13. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Junction Temperature  
Fig. 14. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Drain Current  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
R
= 5  
Ω
G
V
V
= 10V  
= 30V  
GS  
DS  
T = 25ºC  
J
R
V
V
= 5  
Ω
G
= 10V  
= 30V  
GS  
DS  
I
= 50A  
D
I
= 25A  
D
T = 125ºC  
J
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95  
105 115 125  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
TJ - Degrees Centigrade  
ID - Amperes  
Fig. 15. Resistive Turn-on  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 16. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Junction Temperature  
160  
140  
120  
100  
80  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
65  
90  
86  
82  
78  
74  
70  
66  
62  
58  
54  
50  
I
= 25A, 50A  
D
t r  
td(on)  
- - - -  
63  
61  
59  
57  
55  
53  
51  
49  
47  
45  
TJ = 125ºC, V = 10V  
GS  
V
= 30V  
DS  
I
= 50A, 25A  
D
I
= 50A, 25A  
D
60  
t f  
R
td(off)  
- - - -  
= 5 , V = 10V  
Ω
GS  
40  
G
V
= 30V  
DS  
20  
25  
35  
45 55  
65  
75  
85  
95 105 115 125  
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 18. Resistive Turn-off  
Fig. 17. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Switching Times vs. Drain Current  
64  
62  
60  
58  
56  
54  
52  
50  
48  
46  
84  
80  
76  
72  
68  
64  
60  
56  
52  
48  
190  
170  
150  
130  
110  
90  
260  
230  
200  
170  
140  
110  
80  
TJ = 125ºC  
tf  
td(off)  
- - - -  
T = 125ºC, VGS = 10V  
J
V
DS = 30V  
tf  
R
td(off)  
- - - -  
= 5 , VGS = 10V  
Ω
G
I
= 25A  
D
VDS = 30V  
I
= 50A  
D
70  
T = 25ºC  
J
50  
50  
24  
28  
32  
36  
40  
44  
48  
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
RG - Ohms  
ID - Amperes  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
IXYS REF: T_220N055T (5V) 6-16-06.xls  
12345

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