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IXTA2N100P

更新时间： 2024-02-07 06:46:01

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	259K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IXTA2N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.49
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	7.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	86 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA2N100P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTY2N100P

IXTA2N100P

IXTP2N100P

V_DSS= 1000V

I_D25= 2A

R_DS(on) 7.5

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

D (Tab)

E_AS

150

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000



2.5

4.5

DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



50 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives



I_DSS





Lasers Drivers

T_J= 125C

250 A





Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

6.0

7.5 

DS99817C(8/17)

12 3 4 5

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IXTA2N100P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTY2N100P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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IXTA300N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA300N04T2-7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA300N04T2-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA30N25L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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