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IXTA28P065T PDF预览

IXTA28P065T

更新时间： 2024-10-28 20:08:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 65V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IXTA28P065T 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：8.53
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：65 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A
最大漏极电流 (ID)：28 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：90 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTA28P065T 数据手册

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TrenchPTM  
Power MOSFETs  
IXTA28P065T  
IXTP28P065T  
VDSS = - 65V  
ID25 = - 28A  
RDS(on)  
≤
45mΩ  
P-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXTA)  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
- 65  
- 65  
V
V
D (Tab)  
VDGR  
TO-220AB (IXTP)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±15  
±25  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
- 28  
- 90  
A
A
G
D
S
D (Tab)  
= Drain  
IA  
ES  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
- 28  
200  
A
G = Gate  
S = Source  
D
mJ  
Tab = Drain  
PD  
TC = 25°C  
83  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
z Extended FBSOA  
z Fast Intrinsic Diode  
Weight  
TO-220  
TO-263  
3.0  
2.5  
g
g
z
Low RDS(ON) and QG  
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = - 250μA  
VDS = VGS, ID = - 250μA  
VGS = ± 15V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
- 65  
V
z
High-Side Switching  
Push Pull Amplifiers  
DC Choppers  
Automatic Test Equipment  
- 2.5  
- 4.5  
V
z
z
±50 nA  
z
IDSS  
- 3 μA  
-100 μA  
z
Current Regulators  
TJ = 125°C  
z
Battery Charger Applications  
RDS(on)  
VGS = -10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
45 mΩ  
DS99968B(01/13)  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXTA28P065T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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