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IXTA270N04T4-7

更新时间： 2024-10-28 19:39:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA270N04T4-7 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

IXTA270N04T4-7 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT4^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 270A

R_DS(on) 2.2m

IXTA270N04T4

IXTA270N04T4-7

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA

D (Tab)

G = Gate

S = Source

= Drain

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab = Drain

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_DGR

TO-263 (7-Leads)

V_GSM

Transient

15

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

270

160

800

(Tab)

I_A

T_C= 25C

135

750

E_AS

Pins: 1 - Gate

2, 3, 5 , 6 , 7 - Source

4 (Tab) - Drain

I_A

T_C= 25C

270

350

375

E_AS

P_D

Features

T_J

-55 ... +175

175



C

^International Standard Packages

^175°C Operating Temperature

^High Current Handling Capability

^Avalanche Rated

T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Low R_DS(on)

F_C

Mounting Force (TO-263)

10.65 / 2.2..14.6

N/lb

Weight

TO-263

TO-263 (7Leads)

2.5

3.0

Advantages



Easy to Mount

Space Savings



High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

• Synchronous Buck Converters

• High Current Switching Power

Supplies

2.0

4.0

            200 nA

A

• Battery Powered Electric Motors

I_DSS

• Resonant-Mode Power Supplies

• Electronics Ballast Application

• Class D Audio Amplifiers

T_J= 150C

750  A

2.2 m

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50A, Note 1

DS100705A(03/16)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA28P065T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 65V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA28P065T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA2N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTA2N100	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA2N100A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXTA2N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTA2N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTA2N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA2N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTA2N80	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉

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