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IXTA2N100P-TRL

更新时间： 2024-11-21 20:38:03

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	259K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA2N100P-TRL 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTY2N100P

IXTA2N100P

IXTP2N100P

V_DSS= 1000V

I_D25= 2A

R_DS(on) 7.5

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

D (Tab)

E_AS

150

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000



2.5

4.5

DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



50 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives



I_DSS





Lasers Drivers

T_J= 125C

250 A





Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

6.0

7.5 

DS99817C(8/17)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA2N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTA2N80	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTA2R4N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA2R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA300N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA300N04T2-7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA300N04T2-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA30N25L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA32N20T	IXYS	获取价格	TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA32N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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