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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 199K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA30N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA32N20T | IXYS |
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TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA32N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA32P05T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA32P05T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTA32P20T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA32P20T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTA32P20T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA340N04T4 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier | |
IXTA340N04T4 | LITTELFUSE |
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40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。 它可提供27 |