IXTA32N20T

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	211K
描述
TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA32N20T 数据手册

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 32A

R_DS(on)≤ 78mΩ

IXTA32N20T

IXTP32N20T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXTP)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

E_AS

250

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

200

T_J

- 55 ... +175

175

°C

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zAvalanche Rated

T_JM

T_stg

- 55 ... +175

Low R_DS(on)

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zHigh Current Handling Capability

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

3.0

Applications

5.0

±100 nA

μA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

200 μA

78 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS99959B(10/10)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXTA32N20T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP32N20T	IXYS	类似代替	TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTA32N20T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA32P05T	IXYS	获取价格	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA32P05T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTA32P20T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA32P20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTA32P20T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA340N04T4	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXTA340N04T4	LITTELFUSE	获取价格	40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供27
IXTA340N04T4-7	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXTA340N04T4-7	LITTELFUSE	获取价格	40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供27
IXTA34N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

与IXTA32N20T相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

11
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA32N20T

IXTA32N20T 数据手册

IXTA32N20T 替代型号

与IXTA32N20T相关器件

与IXTA32N20T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA32N20T

IXTA32N20T 数据手册

IXTA32N20T 替代型号

与IXTA32N20T相关器件

与IXTA32N20T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？