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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 352K |  |
| 描述 | ||
| Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA300N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTA300N04T2-7 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTA300N04T2-7 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTA30N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA32N20T | IXYS |
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TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA32N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTA32P05T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA32P05T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTA32P20T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA32P20T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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