近日，全球领先的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)正式推出了其备受期待的第四代碳化硅(SiC)功率技术——STPOWER SiC MOSFET。这一创新技术专为下一代电动汽车的电驱逆变器量身定制，旨在推动电动汽车行业的进一步发展和普及。

据悉，意法半导体的第四代SiC技术有望在能效、功率密度和稳健性方面树立新的市场标杆。该技术特别针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器进行了优化，以满足日益增长的电动汽车市场对高性能、高效率和高可靠性器件的需求。

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部(APMS)总裁Marco Cassis表示：“意法半导体一直致力于为市场提供尖端的碳化硅技术，以推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们的第四代SiC技术不仅代表了我们在电源转换技术上的重大进展，更将助力电动汽车行业实现更广泛的应用。”

据介绍，意法半导体的第四代SiC MOSFET具有出色的性能和稳健性，能够满足未来电动汽车电驱逆变器的严格要求。其导通电阻(RDS(on))明显低于前几代产品，可以最大限度地降低导通损耗，提高系统的整体能效。同时，第四代SiC的开关速度更快，开关损耗更低，这对于高频应用至关重要，并可实现更紧凑、更高效的电源转换器。

值得一提的是，意法半导体的第四代SiC技术还具备在动态反偏测试(DRB)条件下的出色稳健性表现，超过了AQG324标准，确保在恶劣条件下正常可靠工作。这些特性使得第四代SiC MOSFET成为电动汽车电驱逆变器的理想选择。

在电动汽车市场方面，意法半导体的新SiC MOSFET产品提供了750V和1200V两个电压等级，能够分别提高400V和800V电动汽车平台电驱逆变器的能效和性能。这一技术优势不仅适用于高端电动汽车，更将扩展到中型和紧凑车型，有助于让电动汽车被更多消费者接受。

除了电动汽车领域，意法半导体的第四代SiC技术还适用于各种大功率工业设备，包括太阳能逆变器、储能解决方案和数据中心等日益增长的应用。这些应用将受益于SiC技术的高能效和紧凑尺寸特性，实现更高的能源效率和更低的运营成本。

意法半导体已完成第四代SiC技术平台750V电压等级的产前认证，并计划在2025年第一季度完成1200V电压等级的认证。随后，标称电压为750V和1200V的产品将上市销售，满足设计人员的各种应用开发需求。

此外，意法半导体还计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，以履行其创新承诺。未来，第五代SiC功率器件将采用基于全新工艺的高功率密度创新技术，进一步推动电动汽车和高能效工业的发展。

作为SiC功率MOSFET的市场领跑者，意法半导体已为全球500多万辆乘用车提供STPOWER SiC器件，显著提高了新能源汽车的性能、效率和续航里程。此次发布的第四代SiC技术，将再次巩固意法半导体在电动汽车和高能效工业领域的领先地位。