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IXTA-200N085T

更新时间： 2024-02-04 19:58:32
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5页 221K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA-200N085T 数据手册

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IXTA200N085T  
IXTP200N085T  
Fig. 14. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Drain Current  
Fig. 13. Resistive Turn-on  
Rise Time vs. Junction Temperature  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
R
V
V
= 5  
Ω
G
= 10V  
= 43V  
GS  
DS  
T = 25ºC  
J
R
V
V
= 5  
Ω
G
= 10V  
= 43V  
GS  
DS  
I
= 50A  
D
I
= 25A  
45  
D
T = 125ºC  
J
25  
30  
35  
40  
45  
50  
25  
35  
55  
65  
75  
85  
95  
105 115 125  
TJ - Degrees Centigrade  
ID - Amperes  
Fig. 15. Resistive Turn-on  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 16. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Junction Temperature  
70  
68  
66  
64  
62  
60  
58  
56  
54  
52  
97  
94  
91  
88  
85  
82  
79  
76  
73  
70  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
65  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
t r  
td(on)  
- - - -  
TJ = 125ºC, V = 10V  
GS  
I = 25A  
D
V
= 43V  
DS  
I
= 50A  
t f  
R
td(off)  
- - - -  
D
= 5 , V = 10V  
Ω
G
GS  
V
= 43V  
I
= 25A  
DS  
D
60  
I
= 50A  
D
40  
20  
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
25  
35  
45  
55  
65  
75  
85  
95 105 115 125  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 18. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Gate Resistance  
Fig. 17. Resistive Turn-off  
Switching Times vs. Drain Current  
72  
70  
68  
66  
64  
62  
60  
58  
56  
54  
52  
50  
105  
100  
95  
90  
85  
80  
75  
70  
65  
60  
55  
50  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
320  
290  
260  
230  
200  
170  
140  
110  
80  
t f  
td(off)  
- - - -  
T = 25ºC  
J
T = 125ºC, VGS = 10V  
J
VDS = 43V  
TJ = 125ºC  
tf  
td(off)  
- - - -  
= 5 , VGS = 10V  
Ω
I
= 50A  
D
I
= 25A  
D
R
G
V
DS = 43V  
T =125ºC  
J
60  
T = 25ºC  
J
40  
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50  
ID - Amperes  
RG - Ohms  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
IXYS REF: T_200N085T (61) 11-20-06-A.xls  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA200N085T7 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA20N65X LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA20N65X IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA20N65X2 LITTELFUSE

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 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTA20N65X-TRL LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA220N04T2 IXYS

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 		DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA220N04T2 LITTELFUSE

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 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA220N04T2-7 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 220A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA220N04T2-7 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA220N04T2-TRL IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,

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