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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 168K |  |
| 描述 | ||
| 这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.45 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA200N055T2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA200N075T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTA200N075T7 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTA200N085T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA-200N085T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA200N085T7 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTA20N65X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA20N65X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA20N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTA20N65X-TRL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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