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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 168K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXTA200N055T2-TRL | IXYS | Power Field-Effect Transistor, |
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IXTA200N075T | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXTA200N075T7 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXTA200N085T | IXYS | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTA-200N085T | IXYS | N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTA200N085T7 | IXYS | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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