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IXTA1R6N100D2HV

更新时间： 2024-09-15 20:05:51

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	178K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA1R6N100D2HV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

IXTA1R6N100D2HV 数据手册

High Voltage

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 1.6A

IXTA1R6N100D2HV

R_DS(on) 10

N-Channel

TO-263HV

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

1000

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

P_D

T_C= 25C

100

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

• High Voltage package

• High Blocking Voltage

• Normally ON Mode

M_d

Mounting Force

10..65 / 2.2..14.6

2.5

N/lb

Weight

• International Standard Package

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 100A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

- 4.5

• Audio Amplifiers

• Start-Up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

100 nA

A

I_DSX(off)

T_J= 125C

25 A

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 0.8A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1

10 

1.6

DS100778A(4/17)

12 3 4 5 6

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