Datasheet > IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2

更新时间： 2024-11-18 07:02:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	178K
描述
Depletion Mode MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA1R6N50D2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏源导通电阻：	2.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA1R6N50D2 数据手册

Preliminary Technical Information

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 500V

I_D(on)> 1.6A

IXTY1R6N50D2

IXTA1R6N50D2

IXTP1R6N50D2

R_DS(on)≤ 2.3Ω

N-Channel

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 AA (IXTA)

T_J= 25°C to 150°C

500

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

P_D

T_C= 25°C

100

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

TO-220AB (IXTP)

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

D (Tab)

= Drain

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250μA

V_DS= 25V, I_D= 100μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

500

Advantages

- 2.0

- 4.0

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

±100 nA

μA

25 μA

I_DSX(off)

T_J= 125°C

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 0.8A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

2.3

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

1.6

DS100179A(12/09)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTA1R6N50D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA200N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA200N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA200N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA200N075T7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA200N085T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA-200N085T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA200N085T7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA20N65X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXTA1R6N50D2相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2 技术参数

IXTA1R6N50D2 数据手册

与IXTA1R6N50D2相关器件

与IXTA1R6N50D2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2 技术参数

IXTA1R6N50D2 数据手册

与IXTA1R6N50D2相关器件

与IXTA1R6N50D2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？