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IXTA200N055T2

更新时间： 2024-11-19 14:56:51
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 336K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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IXTA200N055T2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Base Number Matches：1

IXTA200N055T2 数据手册

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TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 55V  
ID25 = 200A  
RDS(on) 4.2m  
IXTA200N055T2  
IXTP200N055T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
TO-220 (IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 175C  
55  
55  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSM  
Transient  
20  
V
G
D
S
ID25  
IL(RMS)  
IDM  
TC = 25C  
External Lead Current Limit  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
200  
120  
500  
A
A
A
D (Tab)  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source Tab = Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
100  
600  
A
EAS  
mJ  
PD  
TC = 25C  
360  
W
Features  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
ROHS Compliant  
High Performance Trench  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Technology for extremely low RDS(on)  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
55  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
Automotive Engine Control  
Synchronous Buck Converter  
           200 nA  
A  
(for Notebook SystemPower &  
IDSS  
5
General Purpose Point & Load)  
DC/DC Converters  
High Current Switching Applications  
TJ = 150C  
VGS = 10V, ID = 50A, Notes 1 & 2  
50 A  
4.2 m  
RDS(on)  
3.3  
Power Train Management  
Distributed Power Architecture  
  
DS99919D(7/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXTA200N055T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA200N055T2-7 LITTELFUSE

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 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-TRL IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA200N075T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA200N075T7 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA200N085T IXYS

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 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA-200N085T IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA200N085T7 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 85V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA20N65X LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA20N65X IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA20N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

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