型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA1R6N100D2HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA1R6N50D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET | |
IXTA1R6N50D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTA200N055T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design | |
IXTA200N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA200N055T2-7 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA200N055T2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA200N075T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA200N075T7 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA200N085T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |