Datasheet > IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

更新时间： 2024-11-19 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	303K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA1R6N100D2 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 1.6A

IXTY1R6N100D2

IXTA1R6N100D2

IXTP1R6N100D2

R_DS(on) 10

N-Channel

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 AA (IXTA)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

P_D

T_C= 25C

100

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

D (Tab)

= Drain

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

G = Gate

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

S = Source

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 100A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

Advantages

- 4.5

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

100 nA

A

I_DSX(off)

T_J= 125C

25 A

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 0.8A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1

10 

• Audio Amplifiers

• Start-Up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

1.6

DS100185D(9/17)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTA1R6N100D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA1R6N100D2HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA1R6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA1R6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA200N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA200N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA200N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA200N075T7	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA200N085T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated