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IXTA1R4N100P

更新时间： 2024-11-19 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	285K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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Polar^TM

Power MOSFET

IXTY1R4N100P

IXTA1R4N100P

IXTP1R4N100P

V_DSS= 1000V

I_D25= 1.4A

R_DS(on) 11.8

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

1.4

3.0

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

1.4

D (Tab)

E_AS

100

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

1000



2.5

4.5

DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



50 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives



I_DSS





Lasers Drivers

T_J= 125C

150 A





Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

11.8



DS99737C(8/17)

12 3 4 5 6

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与IXTA1R4N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA1R6N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA1R6N100D2HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA1R6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA1R6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA200N055T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA200N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-7	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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