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IXTA1R4N100P

更新时间： 2024-11-18 12:48:51
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IXYS /
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描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTA1R4N100P 数据手册

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PolarTM  
Power MOSFETs  
VDSS = 1000V  
ID25 = 1.4A  
RDS(on) ≤ 11.8Ω  
IXTY1R4N100P  
IXTA1R4N100P  
IXTP1R4N100P  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-252 (IXTY)  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
1000  
1000  
V
V
D (Tab)  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
TO-263 AA (IXTA)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
S
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
1.4  
3.0  
A
A
D (Tab)  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
1.4  
100  
A
mJ  
TO-220AB (IXTP)  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
TC = 25°C  
10  
63  
V/ns  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G
D
D (Tab)  
= Drain  
S
G = Gate  
S = Source  
D
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Tab = Drain  
FC  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65/2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb.  
Features  
Md  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-252  
TO-263  
TO-220  
0.35  
2.50  
3.00  
g
g
g
z
International Standard Packages  
Low RDS(on) and QG  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
z
z
z
z
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1000  
2.5  
Typ.  
Max.  
z
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 50μA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
4.5  
±50 nA  
μA  
150 μA  
11.8  
V
Applications  
z
IDSS  
5
Switch-Mode and Resonant-Mode  
TJ = 125°C  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
Laser Drivers  
AC and DC Motor Drives  
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
Ω
z
z
z
Robotics and Servo Controls  
DS99737B(08/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234

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IXTA1R4N100P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTY1R4N100P IXYS

完全替代

 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP1R4N100P IXYS

完全替代

 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA1N100 IXYS

类似代替

 High Voltage MOSFET

与IXTA1R4N100P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTA1R4N120P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA1R6N100D2 IXYS

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 		Depletion Mode MOSFET
IXTA1R6N100D2 LITTELFUSE

获取价格

 		不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA1R6N100D2HV LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTA1R6N50D2 IXYS

获取价格

 		Depletion Mode MOSFET
IXTA1R6N50D2 LITTELFUSE

获取价格

 		不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA200N055T2 IXYS

获取价格

 		DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA200N055T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-7 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA200N055T2-TRL IXYS

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