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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A | 最大漏源导通电阻： | 11 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTY1R4N100P | IXYS |
完全替代  |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA1R4N100P | IXYS |
完全替代 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP1N100 | IXYS |
类似代替 |
High Voltage MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP1R4N120P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP1R4N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP1R4N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP1R6N100D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET |
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| IXTP1R6N100D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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| IXTP1R6N50D2 | IXYS |
获取价格 |
Depletion Mode MOSFET |
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| IXTP1R6N50D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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| IXTP1R6N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV Power MOSFET |
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| IXTP200N055T2 | IXYS |
获取价格 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTP200N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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