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IXTY1R4N100P

更新时间： 2024-11-18 12:48:51

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
4页	157K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTY1R4N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	TO-252, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.4 A
最大漏极电流 (ID)：	1.4 A	最大漏源导通电阻：	11 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	63 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY1R4N100P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 1000V

I_D25= 1.4A

R_DS(on)≤ 11.8Ω

IXTY1R4N100P

IXTA1R4N100P

IXTP1R4N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

TO-263 AA (IXTA)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

1.4

3.0

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.4

100

TO-220AB (IXTP)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (Tab)

= Drain

G = Gate

S = Source

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Tab = Drain

F_C

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65/2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Features

M_d

Nm/lb.in.

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

International Standard Packages

Low R_DS(on)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

±50 nA

μA

150 μA

11.8

Applications

I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

T_J= 125°C

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

Robotics and Servo Controls

DS99737B(08/11)

12 3 4

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IXTY1R4N100P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP1R4N100P	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA1R4N100P	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP1N100	IXYS	功能相似	High Voltage MOSFET

与IXTY1R4N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY1R4N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120PHV	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N120PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R4N120PHV_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY1R4N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY1R6N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY1R6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTY1R6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY1R6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电

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