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IXTY32P05T

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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6页	187K
描述
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTY32P05T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A	最大漏极电流 (ID)：	32 A
最大漏源导通电阻：	0.039 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY32P05T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 50V

I_D25= - 32A

IXTY32P05T

IXTA32P05T

IXTP32P05T

R_DS(on)

≤

39mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 AA (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 50

V_DGR

D (Tab)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±15

±25

TO-220AB (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 32

-110

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 32

200

D (Tab)

= Drain

P_D

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

^zExtended FBSOA

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 50

- 2.5

Typ. Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ± 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 4.5

Applications

±50 nA

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

I_DSS

- 3 μA

-100 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

39 mΩ

DS99967C(01/13)

12 3 4 5 6

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IXTY32P05T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP32P05T	IXYS	功能相似	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA32P05T	IXYS	功能相似	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY3N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTY3N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY3N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTY3N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY44N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTY44N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTY44N10T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY48P05T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IXTY48P05T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTY4N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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