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IXTY3N50P

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	339K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M

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Polar^TM

Power MOSFET

IXTY3N50P

IXTA3N50P

IXTP3N50P

V_DSS= 500V

I_D25= 3A

R_DS(on) 2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

500

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

D (Tab)

E_AS

180

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

Nm/lb.in

1.13 / 10

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 50μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500



3.0

5.5

DC-DC Converters

Switch-Mode and Resonant-Mode



100 nA

A

Power Supplies

AC and DC Motor Drives



I_DSS





Discharge Circiuts in Lasers, Spark

Igniters, RF Generators

T_J= 125C

50 A





High Voltage Pulse Power

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1



Applications

DS99200F(6/17)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTY3N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY44N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTY44N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTY44N10T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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