Datasheet > IXTY48P05T

IXTY48P05T

更新时间： 2024-11-19 07:35:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	277K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTY48P05T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 50V

I_D25= - 48A

IXTY48P05T

IXTA48P05T

IXTP48P05T

R_DS(on)



30m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 50

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

15

25

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 48

-150

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25C

- 48

300

P_D

T_C= 25C

150

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

^Extended FBSOA

^Fast Intrinsic Diode



Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 50

- 2.0

- 4.5

Applications

50 nA



High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications



I_DSS

- 10 A

- 250 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

30 m



DS100293C(8/17)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXTY48P05T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP48P05T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IXTA48P05T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与IXTY48P05T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY4N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY4N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTY4N65X2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY4N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTY50N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY55N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY55N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTY5N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTY5N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY64N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXTY48P05T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY48P05T

IXTY48P05T 数据手册

IXTY48P05T 替代型号

与IXTY48P05T相关器件

与IXTY48P05T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY48P05T

IXTY48P05T 数据手册

IXTY48P05T 替代型号

与IXTY48P05T相关器件

与IXTY48P05T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？