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IXTP48P05T

更新时间： 2024-11-18 20:07:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	286K
描述
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTP48P05T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.54	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A	最大漏极电流 (ID)：	48 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP48P05T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 50V

I_D25= - 48A

IXTY48P05T

IXTA48P05T

IXTP48P05T

R_DS(on)



30m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 50

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

15

25

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 48

-150

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25C

- 48

300

P_D

T_C= 25C

150

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

^Extended FBSOA

^Fast Intrinsic Diode



Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 50

- 2.0

- 4.5

Applications

50 nA



High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications



I_DSS

- 10 A

- 250 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

30 m



DS100293C(8/17)

12 3 4 5 6

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IXTP48P05T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA48P05T	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IXTY48P05T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与IXTP48P05T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP4N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IXTP4N100A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N100A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N45	IXYS	获取价格	4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
IXTP4N45A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IXTP4N50	IXYS	获取价格	4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
IXTP4N50A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N50A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N60	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IXTP4N60A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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