IXTP50N20PM

更新时间： 2024-11-18 13:08:55

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	581K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, OVERMOLDED TO-220, 3 PIN

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IXTP50N20PM 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.3
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP50N20PM 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ 50N20P

IXTA 50N20P

IXTP 50N20P

V_DSS= 200 V

I_D25= 50 A

R_DS(on)= 60 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Preliminary Data Sheet

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

200

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSM

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

= 25°C

T^C_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

120

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

TO-263 (IXTA)

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +125

°C

(TAB)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering

TO-263 package for 10s

300

260

°C

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

Easy to mount

2.5

5.0

Space savings

High power density

100

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

60 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99156A(04/04)

12 3 4 5

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