IXTP62N15P

更新时间： 2024-11-05 03:44:47

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描述
PolarHT Power MOSFET

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IXTP62N15P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTA 62N15P

IXTP 62N15P

IXTQ 62N15P

V_DSS= 150 V

I_D25= 62 A

R_DS(on)≤ 40 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

150

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

150

I_AR

T_C=25° C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C=25° C

350

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

(TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

2600

°C

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

3.0

5.5

100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Easy to mount

Space savings

High power density

T_J= 150° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

40 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99154E(12/05)

12 3 4 5

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