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IXTP50N28T

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	222K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTP50N28T 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench Gate

Power MOSFETs

V_DSS= 280V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 66mΩ

IXTA50N28T

IXTP50N28T

IXTQ50N28T

N-Channel Enhancement Mode

For PDP Drivers

TO-263 AA (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

280

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

TO-220AB (IXTP)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

125

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

340

TO-3P (IXTQ)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

D (Tab)

= Drain

M_d

Mounting Torque (TO-220 &TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

G = Gate

S = Source

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

Tab = Drain

Features

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Q_G

^zLow R_DS(on)

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

^zLow Package Inductance

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

280

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

Advantages

±200 nA

μA

Easy to Mount

Space Savings

I_DSS

T_J= 125°C

200 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

66 mΩ

DS99378A(05/11)

12 3 4 5 6

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