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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP5P25 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
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| IXTP5P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
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| IXTP5P50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220 |
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| IXTP60N10T | THINKISEMI |
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60A,100V Heatsink Trench N-Channel Power MOSFET |
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| IXTP60N10T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP60N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP60N10TM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTP60N10TM | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP60N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated |
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| IXTP60N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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