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IXTP70N075T2 PDF预览

IXTP70N075T2

更新时间： 2024-11-19 14:56:15
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 336K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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IXTP70N075T2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IXTP70N075T2 数据手册

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TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 75V  
ID25 = 70A  
RDS(on) 12m  
IXTA70N075T2  
IXTP70N075T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
TO-220 (IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 175C  
75  
75  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSM  
Transient  
20  
V
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
70  
180  
A
A
D (Tab)  
G = Gate  
S = Source Tab = Drain  
D
= Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
40  
A
EAS  
300  
mJ  
PD  
TC = 25C  
150  
W
Features  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Fast Intrinsic Rectifier  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
ROHS Compliant  
High Performance Trench  
FC  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Md  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Technology for extremely low RDS(on)  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
75  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
Automotive Engine Control  
Synchronous Buck Converter  
           200 nA  
A  
(for Notebook SystemPower &  
IDSS  
2
General Purpose Point & Load)  
DC/DC Converters  
High Current Switching Applications  
TJ = 150C  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1 & 2  
200 A  
12 m  
RDS(on)  
10  
Power Train Management  
Distributed Power Architecture  
  
DS99951B(7/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXTP70N075T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTP75N10P IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode
IXTP75N10P LITTELFUSE

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IXTP76N075T IXYS

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 		Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
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获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
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 		Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP76N25T LITTELFUSE

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 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
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IXTP7N45A LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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