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IXTP6N50D2

更新时间: 2024-11-19 14:56:11
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力特 - LITTELFUSE 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 199K
描述
不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电压为零。 凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻,这些器件在持续“开启”的系统(例如紧急警报或

IXTP6N50D2 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

IXTP6N50D2 数据手册

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Depletion Mode  
MOSFET  
VDSX = 500V  
ID(on) > 6A  
IXTA6N50D2  
IXTP6N50D2  
IXTH6N50D2  
RDS(on) 550m  
N-Channel  
D
TO-263 AA (IXTA)  
G
S
G
D (Tab)  
S
TO-220AB (IXTP)  
Symbol  
VDSX  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
500  
V
VGSX  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
D (Tab)  
S
PD  
TC = 25C  
300  
W
TO-247 (IXTH)  
TJ  
TJM  
Tstg  
- 55 ... +150  
150  
- 55 ... +150  
C  
C  
C  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
C  
C  
G
D
S
Md  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
D (Tab)  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
Features  
• Normally ON Mode  
International Standard Packages  
• Molding Epoxies Meet UL94V-0  
Flammability Classification  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSX  
VGS(off)  
IGSX  
VGS = - 5V, ID = 250A  
VDS = 25V, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSX, VGS = - 5V  
500  
V
V
Advantages  
- 2.5  
- 4.5  
• Easy to Mount  
• Space Savings  
• High Power Density  
100 nA  
A  
IDSX(off)  
5
TJ = 125C  
50 A  
550 m  
A
Applications  
RDS(on)  
ID(on)  
VGS = 0V, ID = 3A, Note 1  
• Audio Amplifiers  
• Start-up Circuits  
• Protection Circuits  
• Ramp Generators  
• Current Regulators  
• Active Loads  
VGS = 0V, VDS = 25V, Note 1  
6
DS100177D(4/17)  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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