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IXTP60N10T

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	314K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTP60N10T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	2.09
Base Number Matches：	1

IXTP60N10T 数据手册

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 60A

R_DS(on) 18m

IXTA60N10T

IXTP60N10T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

(IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220

(IXTP)

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

180

D (Tab)

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

500

P_D

T_C= 25C

176

T_J

-55 ... +175

175



C

Features

T_JM

T_stg

^Ultra-Low On Resistance

^Avalanche Rated

-55 ... +175

^Low Package Inductance

- Easy to Drive and to Protect

^175C Operating Temperature

^Fast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Applications



Automotive

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

- Motor Drives

- 42V Power Bus

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 50A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.5

- ABS Systems



4.5

            100 nA

A

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

Systems

Distributed Power Architechtures



I_DSS

and VRMs

Electronic Valve Train Systems

High Current Switching

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1& 2

100  A

18.0 m



R_DS(on)

14.8



Applications

High Voltage Synchronous Recifier



DS99647C(11/18)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP60N10TM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP60N10TM	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP60N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXTP60N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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