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IXTP60N10TM

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	268K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTP60N10TM 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 60A

R_DS(on) 19m

IXTP60N10TM

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

OVERMOLDED TO-220 W/ FORMED

LEAD (IXTP...M)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

100

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25C, Limited by T_JM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

180

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

500

P_D

T_C= 25C

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175



C

^Plastic Overmolded tab for Electrical

Isolation

^Low R_DS(ON)

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

- for Minimum on-State Conduction

Losses

V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Torque

2500

^Fast Switching

^2500V~ Electrical Isolation

M_d

1.13 / 10

2.5

Nm/lb.in

Advantages

Weight



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 50A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.5

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

4.5

^Switched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

 100 nA

^DC Choppers

^AC Motor Drives

^Uninterruptible Power Supplies

^High Speed Power Switching

Applications

I_DSS

1 A

100 A

T_J= 150C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1, 2

19 m

DS100022A(11/18)

12 3 4 5 6

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