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IXTP64N055T

更新时间： 2024-11-05 12:04:03

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5页	176K
描述
TrenchMV Power MOSFET N-Channel EngancementMode Avalanche Rated

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IXTP64N055T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	64 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	170 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXTP64N055T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTP64N055T

IXTY64N055T

V_DSS= 55

I_D25= 64

R_DS(on)≤ 13 mΩ

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

TO-220 (IXTP)

D (TAB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

TO-252 (IXTY)

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_L

I_DM

T_C= 25°C

170

Package Current Limit, RMS

TO-252

D (TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

250

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 18 Ω

V/ns

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_C= 25°C

130

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 °C Operating Temperature

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Advantages

ꢀ

Easy to mount

ꢀ

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13 / 10 Nm/lb.in.

Space savings

ꢀ

High power density

Weight

TO-220

TO-252

0.35

Applications

ꢀ

Automotive

- Motor Drives

- High Side Switch

- 12VBattery

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

- ABS Systems

ꢀ

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 25 μA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

DC/DC Converters and Off-line UPS

ꢀ

Primary- Side Switch

2.0

4.0

ꢀ

High Current Switching

Applications

± 100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 150°C

100

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Notes 1, 2

13 mΩ

DS99498 (11/06)

12 3 4 5

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IXTP64N055T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTY64N055T	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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IXTP64N10L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP64N10L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP6N100D2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET
IXTP6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP6N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP6N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP6N60	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP6N60A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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