5秒后页面跳转
IXTP6N60 PDF预览

IXTP6N60

更新时间: 2024-11-05 20:12:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
12页 1094K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXTP6N60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):6 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):135 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IXTP6N60 数据手册

 浏览型号IXTP6N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTP6N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTP6N60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTP6N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTP6N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTP6N60的Datasheet PDF文件第7页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与IXTP6N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTP6N60A LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP6P25 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220
IXTP70N075T2 IXYS

获取价格

DC to DC Synchronous Converter Design
IXTP70N075T2 LITTELFUSE

获取价格

这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP75N10P IXYS

获取价格

N-Channel Enhancement Mode
IXTP75N10P LITTELFUSE

获取价格

Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP76N075T IXYS

获取价格

Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP76N075T LITTELFUSE

获取价格

沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低
IXTP76N25T IXYS

获取价格

Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP76N25T LITTELFUSE

获取价格

沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低