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IXTP76P10T

更新时间： 2024-11-18 12:35:35

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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6页	222K
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TrenchP Power MOSFETs

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IXTP76P10T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 100V

I_D25= - 76A

IXTA76P10T

IXTP76P10T

IXTH76P10T

R_DS(on)

≤

25mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±15

±25

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 76

- 230

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 38

P_D

T_C= 25°C

298

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13 /10

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zExtended FBSOA

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

-100

- 2.0

- 4.0

Applications

±100 nA

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

I_DSS

- 15 μA

- 750 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

25 mΩ

DS100024B(01/13)

12 3 4 5 6

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IXTP76P10T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH76P10T	IXYS	完全替代	TrenchP Power MOSFETs
IXTA76P10T	IXYS	完全替代	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH76P10T	LITTELFUSE	功能相似	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱

与IXTP76P10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP7N45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IXTP7N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP7N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IXTP7N50A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP7N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP7N60PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220
IXTP7P20	IXYS	获取价格	Transistor,
IXTP80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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