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IXTP8N50P

更新时间： 2024-11-19 14:56:59

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	820K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M

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IXTP8N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTA 8N50P

IXTP 8N50P

V_DSS= 500 V

I_D258 A

R_DS(on)≤ 0.8

Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

400

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 18 Ω

V/ns

(TAB)

T_C=25° C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-220

TO-263

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 100µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

Advantages

3.0

5.5

Easy to mount

Space savings

100

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.8

Ω

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99321E(03/06)

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