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IXTP80N075L2

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	202K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTP80N075L2 数据手册

Advance Technical Information

LinearL2^TMPower

MOSFETs w/Extended

FBSOA

V_DSS= 75V

I_D25= 80A

R_DS(on) 24m

IXTA80N075L2

IXTP80N075L2

IXTH80N075L2

N-Channel Enhancement Mode

Guaranteed FBSOA

TO-263AA (IXTA)

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXTH)

180

I_A

E_AS

T_C= 25C

2.5

P_D

T_C= 25C

357

T_J

-55 to +150

+150

C

D (Tab)

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

= Drain

-55 to +150

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^Guaranteed FBSOA at 75C

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

2.5

4.5

^Linear Amplifiers

100 nA

A

^Programmable Loads

^Current Regulators

I_DSS

T_J= 125C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

25 A

24 m

R_DS(on)

DS100556(8/13)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTP80N12T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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