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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP80N075L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP80N075L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTP80N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET |
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| IXTP80N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP80N12T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTP86N20T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP86N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP88N085T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 85V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP8N45MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP8N45MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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