是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.73 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 90 A |
最大漏极电流 (ID): | 90 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0084 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 230 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTP90N055T | IXYS |
类似代替 ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
![]() |
IXTA90N055T | IXYS |
功能相似 ![]() |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
![]() |
IXTA90N055T2 | IXYS |
功能相似 ![]() |
DC to DC Synchronous Converter Design |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP90N075T2 | IXYS |
获取价格 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
![]() |
IXTP90N075T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |
![]() |
IXTP90N15T | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
![]() |
IXTP90N15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 |
![]() |
IXTP90N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
![]() |
IXTP94N20X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
说明: 功能与特色: 应用: |
![]() |
IXTP96P085T | IXYS |
获取价格 |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
![]() |
IXTP96P085T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 |
![]() |
IXTP98N075T | IXYS |
获取价格 |
Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
![]() |
IXTP98N075T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 |
![]() |