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IXTQ120N15P

更新时间： 2024-01-11 22:23:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	167K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ120N15P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.016 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ120N15P 数据手册

IXTQ 120N15P

IXTT 120N15P

V_DSS= 150 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)≤ 16 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

150

V_DSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

T_C=25° C

120

(TAB)

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

260

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

mJ TO-268 (IXTT)

2.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

Advantages

3.0

5.0

Easy to mount

Space savings

100

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

16 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99280E(10/05)

12 3 4 5

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IXTQ120N15P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK128N15	IXYS	功能相似	High Current Mega MOS FET

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IXTQ120N20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ130N15T	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
IXTQ130N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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IXTQ14N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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