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IXTQ120N20P

更新时间： 2024-11-18 21:22:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	186K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ120N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.37	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ120N20P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTK 120N20P

IXTQ 120N20P

V_DSS= 200 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)≤ 22 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

200

V_GS

Continuous

Transient

(TAB)

V_GSM

I_D25

T_C=25° C

120

TO-3P (IXTQ)

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

300

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

(TAB)

2.0

dv/dt

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤175° C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25° C

714

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-264

5.5

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

2.5

5.0

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

22 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99207E(10/05)

12 3 4 5

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IXTQ120N20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK120N20P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFH120N20P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXTQ120N20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ130N15T	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
IXTQ130N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ130N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ140N10P	IXYS	获取价格	PolarHT⑩ Power MOSFET
IXTQ140N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ14N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTQ14N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N06P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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