IXTQ16N50P

更新时间： 2024-11-21 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	148K
描述
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTQ16N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.37	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ16N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTA 16N50P

IXTP 16N50P

IXTQ 16N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 16 A

R_DS(on)≤ 400 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-263 (IXTA)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

750

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C= 25°C

300

TO-3P (IXTQ)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220, TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

(TAB)

Weight

TO-220

TO-263

TO-3P

5.5

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

S = Source

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Features

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.5

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100

μA

T_J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

400 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99323E(03/06)

12 3 4

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IXTQ16N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP16N50P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFP16N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFA16N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiperFET Power MOSFET

与IXTQ16N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ170N10P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTQ180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTQ180N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ182N055T	IXYS	获取价格	TrenchT2TM Power MOSFET
IXTQ182N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ18N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ18N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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