是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-3P | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 8.37 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 750 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 16 A |
最大漏极电流 (ID): | 16 A | 最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 35 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTP16N50P | IXYS |
类似代替 |
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXFP16N50P | IXYS |
类似代替 |
PolarHV HiperFET Power MOSFET | |
IXFA16N50P | IXYS |
类似代替 |
PolarHV HiperFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTQ170N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTQ170N10P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTQ180N055T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power MOSFET | |
IXTQ180N085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTQ180N10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IXTQ180N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTQ182N055T | IXYS |
获取价格 |
TrenchT2TM Power MOSFET | |
IXTQ182N055T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTQ18N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTQ18N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |