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IXTQ200N075T

更新时间： 2024-11-05 12:02:23

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
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5页	190K
描述
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET

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IXTQ200N075T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (ID)：	200 A
最大漏源导通电阻：	0.005 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	540 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ200N075T 数据手册

Preliminary Technical Information

IXTH200N075T

IXTQ200N075T

V_DSS= 75

I_D25= 200

R_DS(on)≤ 5.0 mΩ

Trench Gate

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

200

540

Lead Current Limit, RMS

(TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

750

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 5 Ω

V/ns

T_C= 25°C

430

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

1.13 / 10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-247

5.5

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

Easy to mount

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

Space savings

2.0

4.0

High power density

± 200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 150°C

250

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 25 A, Notes 1, 2

4.0

5.0 mΩ

DS99634 (11/06)

12 3 4 5

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IXTQ200N075T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA200N075T7	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTH200N075T	IXYS	类似代替	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET

与IXTQ200N075T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ200N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTQ200N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ22N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET
IXTQ22N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ22N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ22N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ23N60Q	IXYS	获取价格	Power MOSFETs Q-Class
IXTQ240N055T	IXYS	获取价格	TrenchMV Power MOSFET
IXTQ24N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ24N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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