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IXTQ170N10P

更新时间： 2024-11-05 19:45:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ170N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.48	Samacsys Description：	MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A
最大漏极电流 (ID)：	170 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	715 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ170N10P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 170A

R_DS(on)≤ 9mΩ

IXTT170N10P

IXTQ170N10P

IXTK170N10P

TO-268 (IXTT)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Tab

TO-3P (IXTQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

100

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Tab

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

170

160

TO-264 (IXTK)

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

350

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Tab

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

T_C= 25°C

715

T_J

-55 to +175

+175

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 to +175

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-264 & TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-3P

TO-264

4.0

5.5

10.0

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

250 μA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 15V, I_D= 350A

9 mΩ

mΩ

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS99176F(01/10)

12 3 4 5

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IXTQ170N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK170N10P	IXYS	完全替代	Polar HiperFET Power MOSFET
IXTT170N10P	IXYS	功能相似	PolarTM Power MOSFET
IXFH170N10P	IXYS	功能相似	Polar HiperFET Power MOSFET

与IXTQ170N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTQ180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTQ180N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ182N055T	IXYS	获取价格	TrenchT2TM Power MOSFET
IXTQ182N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ18N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ18N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ200N06P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ200N075T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET

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