IXTQ30N50L2

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode

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IXTQ30N50L2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ30N50L2 数据手册

Linear L2^TMPower

MOSFET with extended

FBSOA

N-Channel Enhancement Mode

IXTH30N50L2

IXTQ30N50L2

V_DSS= 500V

I_D25= 30A

R_DS(on)≤ 200mΩ

IXTT30N50L2

_OD

TO-247 (IXTH)

R_Gi

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-3P (IXTQ)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

1.5

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

-55 to +150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

+150

-55 to +150

T_L

1.6mm (0.063in) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

T_SOLD

M_d

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-3P

TO-268

6.0

5.5

5.0

Features

^zDesigned for linear operation

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching

(UIS) rated.

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

^zIntegrated gate resistor for easy

paralleling

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

500

2.5

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±100 nA

Applications

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

300 μA

^zSolid state circuit breakers

^zSoft start controls

^zLinear amplifiers

^zProgrammable loads

^zCurrent regulators

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

200 mΩ

DS99957A (04/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT30N50L2	IXYS	完全替代	Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTQ30N60L2	IXYS	获取价格	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA
IXTQ30N60L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
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