IXTQ18N60P

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	176K
描述
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTQ18N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.42 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	54 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ18N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTQ 18N60P

IXTV 18N60P

IXTV 18N60PS

V_DSS= 600 V

I_D25= 18 A

R_DS(on)≤ 420 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Tranisent

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

PLUS220 (IXTV)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

T_C= 25°C

360

PLUS220SMD (IXTV...S)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

D (TAB)

M_d

Mounting torque

TO-3P

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Weight

PLUS220 & PLUS220SMD

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

600

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

Advantages

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

420 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99324E(03/06)

12 3 4 5

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IXTQ18N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTV18N60PS	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV18N60P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFH18N60P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ200N06P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ200N075T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET
IXTQ200N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTQ200N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ22N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET
IXTQ22N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ22N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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